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PICVD

PICVD

PICVD steht für Plasma Impuls Chemical Vapor Deposition, eine einzigartige Kombination der chemischen Dampfphasenabscheidung mit Mikrowellen Plasma-Unterstützung.

Durch das CVD Verfahren ist es leicht möglich, homogene Beschichtungen auf dreidimensionalen Körpern zu erhalten, wie es z.B. für die Beschichtung von Reflektoren gefordert ist. Einzigartig ist die Fähigkeit dieses Verfahrens Hohlkörper mit kleiner Öffnung (wie z.B. Flaschen) mit dichroitischen Schichten auf der Innenseite zu versehen.

Das PICVD – Verfahren arbeitet mit SiO2 und TiO2 Wechselschichten. Durch den großen Brechzahlunterschied der beiden Materialien können spektrale Eigenschaften mit weniger Schichten realisiert werden, als bei anderen Materialkombinationen.

Beschichtungsmaterialien und Substrate

Beschichtungsmaterialien
Siliziumdioxid
Titandioxid
Zirkondioxid
Yttriumtrioxid
Zinndioxid
Substrate
Glas
Keramik
Aluminium
Kunststoffe (PC, PEI, PEEK, PET)
 

Vorteile des PICVD Prozesses

  • Kosteneffizient durch hohe Abscheideraten
  • Kein Batchprozess, dadurch hohe Ausbeute
  • Hohe Reproduzierbarkeit
  • Kein Reinraum nötig
  • Automatisiert
  • Beschichtung bei niedrigen Temperaturen

 

Einsatzmöglichkeiten

  • Beschichtung von 3D-Geometrien und flachen Substraten
  • Innen- und Außenbeschichtung
  • Vielfältige Formate und Größen
  • Multifunktionale Schichtsysteme
  • Beschichtung unterschiedlichster Trägermaterialien

Beispiel: Hochreflektive PICVD Beschichtung gegenüber einer einfachen Aluminiumbeschichtung auf einem LED Reflektor